奈米技術的進步
Nantero 的 NRAM® 充分利用奈米技術的尖端研究與奈米碳管 (CNT) 技術的創新運用。 CNT 被公認為人類已知的最強材料之一，擁有獨特的結構與電氣屬性，使之成為生產新一代超快速、超高密度與極低功耗記憶體的理想之選。 一根 CNT 僅為頭髮直徑的 1/50,000，這些微細圓柱體的強度是鋼的 50 倍，密度僅為鋁的一半，導熱與導電性優於科學家如今已知的任何其他材料。
雖然 CNT 的優勢長期以來在業內已備受追捧，但 Nantero 是首家採用此技術在生產 CMOS 製造設施中積極開發半導體產品的公司。 此突破性成就現在做為公司領先專利組合的一部份而受到保護，此專利組合包括迄今為止已申請的 170 多項美國專利和正在申請的 200 多項專利。
NRAM 優勢
Nantero 的 NRAM 速度可媲美 DRAM，但密度大於後者，像快閃一樣具有非揮發性，在待命模式下功耗幾乎為零，每位元的寫入能量比快閃低 160 倍，可高度對抗環境力（甚至可加熱至攝氏 300 度、寒冷、磁力、輻射、振動）。 NRAM 與現有的 CMOS 製造設施相容，且無需使用任何新工具或工藝，甚至可縮至 5nm 以下。 考慮到它只需少數工序與一個遮罩層，NRAM 能夠以較低成本製造，並且與 3D 多層結構和 MLC 操作相容。 這使得 NRAM 成為獨立式與嵌入式應用中下一代記憶體技術的理想解決方案。
NRAM 技術
NRAM 以形成沉積到標準矽基板上的 CNT 膜為基礎，此類矽基板包含接合 NRAM 開關的底層儲
存單元精選裝置和陣列線（通常為電晶體或二極體）。 圖 1 是交叉奈米碳管（可接觸或稍微分開，視乎位置而定）沉積膜（或光纖）的 SEM 影像。
NRAM 用作電阻式非揮發性隨機存取記憶體 NVRAM，且根據 CNT 光纖的電阻狀態，可置於兩個或更多電阻模式中。 CNT 不接觸時，光纖的電阻狀態高且顯示「0」狀態（參見圖 2）。 CNT 接觸時，光纖的電阻狀態低並顯示「1」狀態。
圖 1
圖 2