無限延展性︰可縮至 5 奈米以下，在不遠的將來實現萬億位元級記憶體
久經考驗的技術︰多年成功用於大批量生產 CMOS 製造設施中
振奮人心的未來產品︰虛擬螢幕、下一代企業系統、捲曲平板電腦、即時手提電腦、快速記憶體的其他產品。
麻薩諸塞州沃本 – 2015 年 6 月 2 日 – 奈米碳管電子元件的全球領導者 Nantero 今日宣佈, 其已完成一輪 3150 萬美元的系列 E 融資，其中包括新的投資者與現有投資者 Charles River Ventures、Draper Fisher Jurvetson、Globespan Capital PartnersHarris & Harris Group 的參與。 這輪大幅超額認購突顯了 Nantero 的 持續性成功。其已推出超快速、超高密度的新一代記憶體 NRAM®非揮發性隨機存取記憶體），可在消費類電子產品和企業電子產品中打造各種令人驚歎的新功能和產品。
Nantero 的 NRAM 已安裝於多個生產製造設施中，現正設計於需要多儲存空間、低功耗、高速、可靠性和高耐用性的創新性新電子產品中，標誌著記憶體新時代的到來。 公司擬使用其新的融資繼續加快 NRAM 成為儲存級記憶體的下一代領先記憶體並取代 DRAM 和快閃的進程。
「Nantero NRAM 的推出意味著人們對新一代超快速、高密度的非揮發性記憶體的等待已經結束，」Greg Schmergel（Nantero, Inc. 的共同創立者、董事長兼 CEO）說道。 「我們的技術現已在多個世界級的製造設施中進行研發，我們還有十幾間大型公司合作夥伴正積極開展 NRAM 的研究工作。 我們很高興能夠開啟商業化的下一階段， 這會使Nantero 的 NRAM 投入量產，並改變電子產品創新在未來幾十年的發展進程。」
新加入的公司顧問
為突顯行業人士對 NRAM 的不斷支援，Nantero 還在今天宣佈公司即將新加入兩位重量級顧問，其中一位為 Stefan Lai 博士，其之前為英特爾公司的高級主管，合作發明了 EPROM 穿隧氧化層 (ETOX) 快閃記憶體儲存單元，並曾領導英特爾公司的相變化記憶體 (PCM) 團隊。 Lai 先生因其對矽 MOS 介面屬性的研究和快閃 EPROM 記憶體的開發而在 1998 年被公認為 IEEE 會士，他還因其對快閃記憶體的貢獻，榮獲 2008 IEEE Andrew
Grove 獎。
「Nantero 的 NRAM 具有獨特的屬性，使之成為最有希望榮登近乎理想記憶體寶座的候選產品︰快閃的非揮發性、DRAM 的速度與功能，以及較低的成本，」Stefan Lai（Nantero 的 新加入顧問）說道。 「公司擁有制勝所需的技術、專業知識、深厚的客戶支援以及廣泛的專利組合。這輪新的融資會向他們提供財務資源，確保其獲得長期成功，並促使 NRAM 技術不斷取得進步。」
加入 Nantero 顧問委員會的還有 Yaw Wen Hu 博士，其為 Inotera Memories 的前執行副總裁兼現董事會成員，監管新 DRAM 技術轉移和晶圓級封裝的開發。 在此之前，Hu 博士為 Silicon Storage Technology (SST) 的執行副總裁兼營運長，負責SuperFlash技術開發，與從全新的記憶體儲存格概念到大容量產品發運的團隊合作，將此技術確立為嵌入式快閃應用技術的選項。
Nantero 的 NRAM︰記憶體的未來
若速度比 NAND 快 100 倍的新一代記憶體可用，則可提供數萬億位元的的儲存容量，同時消耗非常少的功能，並能夠改變電子產品的未來。 Nantero 的 NRAM 擁有所有的這些突破性特徵。 Nantero 針對獨立式與嵌入式記憶體市場，已將其 NRAM IP 授權至全球主要晶片製造商、鑄造廠和電子企業。
Nantero 的NRAM 針對消費類電子產品、行動運算、可穿戴裝置、企業儲存、汽車等各種市場，相比其他記憶體技術，提供的主要優勢 包括︰
與 CMOS 相容︰適用於標準 CMOS 製造設施，無需配備新設備
無限延展性︰可在未來設計為縮至 5 奈米以下
高耐用性︰經驗證，其操作數量級高於快閃
讀寫更快︰可與 DRAM 媲美，是 NAND 的 100 倍
高可靠性︰在攝氏 85 度時可保存記憶體 1,000 多年，在攝氏 300 度時可保存 10 多年。
低功耗︰在待命模式下功耗幾乎為零，每位元的寫入能量比 NAND 低 160 倍
低成本︰結構簡單，可為 3D 多層與多階儲存單元 (MLC)
Nantero 的NRAM 利用奈米技術的尖端研究和奈米碳管技術的創新使用。奈米材料被譽為人類已知最強材料之一。 一根 CNT 僅為頭髮直徑的 1/50,000，這些微細圓柱體的強度是鋼的 50 倍，密度僅為鋁的一半，導熱與導電性優於科學家如今已知的任何其他材料。 做為奈米技術的先驅，Nantero 是首家採用此材料在生產 CMOS 製造設施中積極
開發半導體產品的公司。 此突破性成就現在做為公司領先奈米碳管電子產品專利組合的一部份而受到保護，此專利組合包括迄今為止已申請的 175 多項美國專利和正在申請的 200 多項專利。
支援引述︰
AlanNiebel，Webfeet Research 創立者兼 CEO
「若非常快速的記憶體技術可用，則可在將來提供數萬億位元的的儲存容量，同時消耗非常少的功能，並能夠改變電子產品的未來。 在研究 NRAM 十二年多時間後，WebFeet 大為讚賞 Nantero 在過去兩年中能夠將 NRAM 晶片中的 CNT 成本降低 10 倍、實現 NRAM CMOS 的相容性並最終證明 NRAM 能夠為被授權人提供商業生產能力。」
Jim Handy，Objective Analysis總監
「Nantero 在將新一代記憶體推上市場中所取得的進展給我們留下了深刻的印象。 毫無疑問，此快速的非揮發性記憶體是一個寶貴的資產，Nantero 對奈米碳管技術的使用大有發展前途，當根深蒂固的技術達到規模極限時，此技術可用做後繼技術。」
Greg Wong， Forward Insights 創立者兼首席分析師
「這種少有的技術可將研究實驗室轉變成高容量的 CMOS 生產設施。 NRAM 高速與高耐用性的獨特結合，確保能夠生產出適用於大量消費者和企業應用的創新產品。」
Michael Yang，IHS Technology 記憶體與儲存資深總監
「行業已經開始感覺到目前記憶體技術遇到效能障礙且無法進一步擴充的影響。 Nantero 的 NRAM 具有填彌補此缺憾的巨大潛力，可讓製造商提供新儲存架構和設計體積更小、速度更快且更具創新性並採用大量儲存體的產品。」
Yann de Charentenay，YoleDéveloppement 高級技術和市場分析師
「在 YoleDéveloppement 2015 年 1 月的新興非揮發性記憶體技術和市場趨勢報告中，我們發現此市場在 2014 年價值 6500 萬美元。 然而，它現在正處於十字路口。 行業領導者應在未來兩年選擇適用於新興 NVM 的 STTMRAM、RRAM、NRAM 和其他技術，以解決傳統 DRAM 和閃存記憶體的延展性及/或速度限制。 在這種情況下， Nantero 的最新 NRAM 技術成果讓 DéveloppementYole 激動不已。 Nantero 的技術實現了 STTMRAM 的優異效能，同時能夠降低 RRAM 的成本。 在 YoleDéveloppement，我們渴望看到此技術的未來延展性 — 能夠幫助它鎖定主流記憶體應用並取代 DRAM 和快閃。」
Bruce Sachs，CRV 的普通合夥人
「此新一輪發展驗證了我們預見到的 NRAM 會成為記憶體行業下一個重大突破的潛力。
Nantero 是許多大型客戶等待來推動下一波消費類電子產品和企業運算與儲存創新的公司。」
Yaw Wen Hu 博士，Nantero 顧問
「Nantero 的突破性不僅在於開發了擁有出色效能的新一代記憶體裝置，還在於其成功將 NRAM 應用到現有 CMOS 製造設施中，且無需使用新設備。 這是一項巨大的成就，可為實現消費者和企業應用中令人驚歎的新功能和產品鋪平了道路。
其他資源︰
Nantero 企業宣傳視訊
圖像圖書館︰產品與技術圖像
Nantero 網站
關於 Nantero
做為奈米碳管電子元件的全球領導者，Nantero已開發出新一代記憶體 NRAM™（非揮發性隨機存取記憶體）— 可在消費類電子產品和企業電子產品中打造各種令人驚歎的新功能和產品。 這款新型超快速、超高密度記憶體可取代單晶片中的 DRAM 和快閃，或可將新應用程式用作儲存級記憶體，同時具有推動下一波電子產品創新所需的低功耗、高速度、可靠性和耐用性特徵。 造訪 Nantero，網址︰www.nantero.com，或在 Twitter @nantero 上關注 Nantero。
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有關更多資訊︰
Kelly Karr
Nantero 公共關係
408-718-9350
Kelly@nantero.com
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