- Doller 加入 Nantero 日益發展的世界級諮詢委員會，委員會成員包括先前就職於 TSMC、Intel、Hitachi、Sony、Apple 等的高級管理人員
- 中央大學教授 Ken Takeuchi 將於下週召開的日本 SSDM 2015 會議上講述技術論文中經驗證的 NRAM 記憶體陣列的效能與可靠性
麻薩諸塞州沃本 — 2015 年 9 月 24 日 — Nantero — 奈米碳管電子元件的全球領導者今日宣佈，任命著名的記憶體行業行政官 Ed Doller 為其諮詢委員會成員。 Ed 先前在 Micron 擔任 NAND Solutions Group（解決方案事業部）副總裁兼戰略長，此外還擔任了 Micron 的副總裁兼 GM 企業儲存事業部高管，以及副總裁兼首席記憶體系統結構設計師。 此外，Nantero 還宣佈，其新一代超快速、高密度記憶體 (NRAM™) 陣列由中央大學經過獨立測試，結果顯示產品擁有優異的效能和可靠性，並將於 2015 年固態器件與材料國際會議 (SSDM) 上講述技術論文時呈現。
「Ed Doller 擁有豐富的行業經驗並深入瞭解記憶體裝置層級和系統層級，將為我們的諮詢委員會帶來頗具價值的全新維度，」Nantero 共同創立者、CEO 兼董事長 Greg Schmergel 說道， 「由於 Nantero 的勢頭銳不可當，我們將一如既往地與多位客戶合作，把 NRAM 推向市場，我們的記憶體能夠得到 Takeuchi 教授這類權威專家的獨立驗證，我們十分高興。」
關於 Doller 先生
Doller 透過 Numonyx 收購於 2010 年加入 Micron，他在 Numonyx 於 2008 年成立後擔任其副總裁兼技術長。 在加入 Numonyx 之前，他曾在英特爾 (Intel) 的快閃記憶體部門 (Flash Memory Group) 工作 15 年，並於 2004 年被任命為技術長。 在任職於英特爾之前，Doller 先生曾在紐約州東菲什基爾的 IBM 工作 9 年， 並擔任了高級半導體記憶體方面的若干重要職位。 他擁有多項專利，是 IEEE 浮栅標準的合著者，經常在記憶體研討會上擔當主講嘉賓。
「Nantero 的下一代 NRAM 記憶體具有獨特的價值定位，對各種應用程式和使用者極具吸引力，尤其是開始考慮具有 DRAM 速度的非揮發性記憶體如何讓他們重新構思系統架構，」Ed Doller 說道， 「我很高興能夠加入 Nantero 的諮詢委員會， 成為這個與多個業界領袖合作的世界一流強隊的成員。」
關於 SSDM Paper
9 月 30 日星期三在 SSDM 會議上，中央大學的教授 Ken Takeuchi 和幾位合著者將發佈一篇以 Nantero 的 NRAM 為主題的論文，論文標題為「對奈米碳管記憶體儲存單元陣列計劃特徵的調查」。Takeuchi 博士是中央大學科學與工程學院電氣、電子和通訊工程部的教授，先前帶領了 Toshiba 的 NAND 快閃記憶體電路設計項目十四年。 他設計了六種全球最高密度的 NAND 快閃記憶體產品，如 0.7µm 16Mbit、0.4µm 64Mbit、0.25µm 256Mbit、0.16um 1Gbit、0.13µm 2Gbit 和 56nm 8Gbit NAND 快閃記憶體。 他擁有 210 項世界專利，其中包括 109 項美國 專利。 借助他在 1997 年 VLSI 電路研討會上展示的「多頁儲存單元架構」發明，他於 2001 年成功實現了全球首個多階儲存單元 NAND 快閃記憶體的商業化。
關於 Nantero
做為奈米碳管電子元件的全球領導者，Nantero 已開發出新一代記憶體 NRAM（非揮發性隨機存取記憶體）— 可在消費性電子產品和企業電子產品中打造各種激動人心的新功能和產品。 這款新型超快速、超高密度記憶體可取代單晶片中的 DRAM 和快閃，或可將新應用程式用作儲存級記憶體，同時具有推動下一波電子產品創新所需的低功耗、高速度、可靠性和耐用性特徵。 造訪 Nantero，網址︰www.nantero.com，或在 Twitter @nantero 上關注 Nantero。
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Kelly Karr
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